Samsung: První 3nm čip na světě
Na nedávné konferenci IEEE ISSCC International Solid{0}}Conference State Circuits, 3nm čipy! Samsung se přiblížil a Samsung úspěšně rozpoutal bitvu čipů po celém světě. Samsung na konferenci uvedl na trh první paměťový čip SRAM vyrobený 3nm procesem, čímž posunul polovodičový proces opět do nové fáze. 3nm procesní paměťový čip SRAM od Samsungu má kapacitu 256GB a plochu pouhých 56 milimetrů čtverečních. Výkon se zlepšil o 30 procent a spotřeba energie se snížila o 50 procent. Očekává se, že bude oficiálně sériově{8}}produkován v roce 2022. Samsung přijal novou tranzistorovou technologii na 3nm procesním čipu a použil technologii GAA k vyřešení řady problémů, jako je tvorba tepla a nadměrná spotřeba energie, se kterými se dříve 5nm proces. Technologie GAAFET je kompaktnější v uspořádání a může pojmout více tranzistorů, takže odpovídající plocha čipu bude dále zmenšena a společně s přesnějším řízením proudu napříč kanály se očekává, že dosáhne technologického vedoucího postavení.
Společnost Baiqiancheng, založená v roce 2003, se zabývá exportem desek PCBA se zaměřením na služby ODM, spolu-navrhování se zákazníky, pomáhá zákazníkům vybírat modely a měnit rozvržení. Naší hlavní výhodou je, že máme profesionální tým pro nákup a máme vysoce-kvalitní komponenty. Kanál nákupu čipů může zákazníkům pomoci najít materiály s vysokou cenou a vysokou kvalitou, ušetřit zákazníkům náklady a zkrátit dodací lhůty.
